今天（1月8日）上午，中共中央、国务院在北京人民大会堂隆重举行2015年度国家科学技术奖励大会。南昌大学硅衬底LED项目获得国家技术发明奖一等奖。祝贺江西、祝贺南昌！
2015年国家科学技术奖
国家最高科学技术奖
空缺
国家自然科学奖
多光子纠缠干涉度量学（一等奖）
国家技术发明奖
南昌大学硅衬底LED项目（一等奖）
国家科学技术进步奖
高效环保芳烃成套技术及应用（特等奖）
京沪高速铁路工程（特等奖）
国际科学技术合作奖
杨克里斯特·杨森（瑞典）
冲村宪树（日本）
叶甫盖尼·维利霍夫（俄罗斯）
彼得·史唐（美国）
维尔特·伊恩·利普金（美国）
卡洛·鲁比亚（意大利）
约翰尼斯·弗兰肯（荷兰）
根据《国家科学技术奖励条例》（以下简称《条例》），国家科技奖共分五大类：最高科技奖、国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科技进步奖、国际科技合作奖。
国家技术发明奖一等奖代表
闪！亮！登！场！
江风益，男，1963年出生，江西余干人。1989年研究生毕业后一直在高校从事半导体发光材料与器件教学和科研工作。2002年获中央和国家四部联合授予的“杰出专业技术人才”称号，2008年获中国科协求实杰出青年成果转化奖。
1980年09月－1984年07月 吉林大学物理系原子核物理专业大学本科
1984年07月－1987年08月 江西工业大学基础课部物理教研室助教
1987年09月－1989年12月 中科院长春物理所固体发光专业研究生
1990年01月－1992年05月 江西工业大学基础课部物理教研室讲师
1992年05月－1995年04月 南昌大学材料科学研究所副教授
1995年05月－2001年05月 南昌大学材料科学研究所教授
2001年06月－至今 教育部发光材料与器件工程研究中心主任
2007年01月－至今 863计划半导体照明专项总体专家组成员
2008年01月－至今 教育部“半导体照明技术”创新团队带头人
2008年09月－至今 南昌大学党委委员、副校长
江风益和他的团队经过长期努力，经过3000多次实验，攻克了这一世界难题，发明了在材料生长和芯片制造过程中克服巨大张应力的方法、结构和工艺技术，在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并率先实现了产业化，获授权发明专利68项。
现有的三条LED照明技术路线，分别是蓝宝石、碳化硅和硅衬底GaN基LED技术路线。其中，前两条路线分别是以日本和美国为主发展起来的，主要贡献者分别获得日美两国最高科技奖，第一条路线的三位主要发明人还获得了2014年度诺贝尔物理学奖。第三条路线是由我国发展起来的，即风益教授团队完成的“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目发明成果。
得益于“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目的成功，江西省已描绘出LED产业发展“路线图”：到2020年，全省LED产业主营收入要超过1000亿元，把江西建设成为具有国际核心竞争力的LED全产业链研发、制造和应用基地，将南昌打造成全国的LED“光谷”。
这标志南昌技术发明居国家一流水平，为南昌大学项目团队点ZAN！
版权声明：本文内容由互联网用户自发贡献，该文观点仅代表作者本人。本站仅提供信息存储空间服务，不拥有所有权，不承担相关法律责任。如发现本站有涉嫌抄袭侵权/违法违规的内容， 请发送邮件至 举报，一经查实，本站将立刻删除。